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世界上首款HMC內(nèi)存產(chǎn)品由美光生產(chǎn) HMC(混合內(nèi)存立方體)內(nèi)存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產(chǎn)業(yè)巨 |
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美光科技(Micron)推出第三代低延時DRAM 美光科技(Micron Technology, Inc)近日… |
美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術，能更有效的傳輸網(wǎng)絡信息。視頻內(nèi)容、移動應用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡應用中性能更好。
美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費的不斷增長，人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡流量增長的技術，美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。
對于現(xiàn)有的RLDRAM 2，美光將繼續(xù)提供最高水平的技術支持，并計劃長期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外，美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進的50nm工藝，提高系統(tǒng)性能，降低功耗。
RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點
美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點及優(yōu)點有：
低延時：tRC不足10納秒，是業(yè)界最低的隨機存取延時
高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設計
高速率：達2133Mb/s，數(shù)據(jù)存取速度更快
高能效：1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓，更省電
構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡
美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網(wǎng)絡系統(tǒng)性能。作為這個價值生態(tài)系統(tǒng)的一部分，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。
Altera組件產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路，針對美光內(nèi)存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達1600 Mbps，為行業(yè)內(nèi)最高速度，大幅降低了延時。美光新的存儲產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項重要技術成果，是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作?！?/p>
Xilinx應用和技術營銷資深總監(jiān)Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網(wǎng)絡設備，用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術，讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡平臺，來滿足最嚴格的基礎設施需求。”
產(chǎn)品可用性
美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內(nèi)存設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進行抽樣。
